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氮化硼導熱墊片(WG-BN 系列)
氮化硼導熱墊片(WG-BN 系列) 2

氮化硼導熱墊片(WG-BN 系列)

Boron Nitride Thermal Pad (WG-BN Series)

  • WG-BN

導熱係數 16.0 W/m·K 的氮化硼導熱墊片,兼具高導熱、高介電強度與抗腐蝕特性,適合高 TDP 模組與需要電氣絕緣的介面。

  • 01導熱係數 16.0 W/m·K
  • 02熱傳效率優於一般導熱墊片
  • 03介電強度優於傳統間隙填充墊片
  • 04優異強度與熱穩定性,低壓縮永久變形
  • 05耐腐蝕、抗氧化,電偶中性

資料來源:AMEC Thermasol 原廠網站 。實際規格以原廠最新技術文件為準。

產品說明

WG-BN 氮化硼導熱墊片具備高導熱係數與彈性,可輕易填補發熱元件與散熱片之間的間隙,適合空間受限的熱管理設計。氮化硼填料在柔性基材中形成導熱網路,透過聲子與滲流接觸傳熱,在不犧牲介電隔離的前提下降低間隙兩側的溫差。

墊片通常由聚合物基材搭載六方氮化硼(h-BN)構成:聚合物提供彈性,h-BN 片狀填料形成連續或半連續的導熱路徑;亦可疊合背膠層或 EMI 箔以提升操作便利性。相較於金屬填充墊片,其介電特性通常更優,電偶中性可降低腐蝕風險,並具高抗腐蝕與抗氧化能力。

當一般矽膠導熱墊片無法滿足高 TDP 模組的導熱需求、而導熱膏又有污染與自動化組裝困難時,WG-BN 提供介於兩者之間的解決方案。材料符合 RoHS、REACH 與無鹵素規範,並符合 RBA 與 ISO/TS 16949 標準。

產品特點

  • 01導熱係數 16.0 W/m·K
  • 02熱傳效率優於一般導熱墊片
  • 03介電強度優於傳統間隙填充墊片
  • 04優異強度與熱穩定性,低壓縮永久變形
  • 05耐腐蝕、抗氧化,電偶中性
  • 06RoHS、REACH、無鹵素,符合 RBA 與 ISO/TS 16949

應用領域

  • 高功率處理器與 GPU、伺服器刀鋒與運算加速器
  • 車用電子與功率模組(牽引逆變器、DC-DC 轉換器、車載充電器)
  • 電信與 5G 基礎設施(遠端射頻單元、基頻模組)
  • 需要電氣絕緣或間隙高度變動的熱介面

規格摘要

Thermal conductivity16.0 W/m·K
FillerHexagonal boron nitride (h-BN)
ComplianceRoHS, REACH, halogen free, RBA, ISO/TS 16949

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